onsemi NVTFS014P04M8L功率MOSFET

安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET是-40V和-49A单P沟道MOSFET,具有低导通电阻 (RDS (on)) 和电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET的占位面积为3.3mm × 3.3mm,设计紧凑。这些功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。

特性

  • 占位面积:3.3mm × 3.3mm
  • 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
  • 低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 可湿性侧翼选项
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR),符合RoHS指令

应用

  • 反向电池保护
  • 开关电源
  • 电源开关
  • 电磁驱动器
  • 电机控制
  • 负载开关
发布日期: 2020-03-02 | 更新日期: 2022-03-11