onsemi NVTFS014P04M8L功率MOSFET
安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET是-40V和-49A单P沟道MOSFET,具有低导通电阻 (R
DS (on)) 和电容,可最大限度地降低导通和驱动器损耗。安森美半导体NVTFS014P04M8L功率MOSFET的占位面积为3.3mm × 3.3mm,设计紧凑。这些功率MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。典型应用包括电池保护、电机控制、电源开关、开关电源、负载开关和电磁阀驱动器。
特性
- 占位面积:3.3mm × 3.3mm
- 低导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗
- 低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
- 可湿性侧翼选项
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR),符合RoHS指令
发布日期: 2020-03-02
| 更新日期: 2022-03-11