onsemi AFGY100/AFGY120T65SPD场终止沟槽型IGBT
安森美半导体AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场终止型沟槽IGBT符合AEC-Q101标准，导通和开关损耗极低。借助这些特性，可在各种应用中实现高效率运行，具有出色的瞬态可靠性和低EMI。
安森美 (onsemi) AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD IGBT具有出色的并行运行性能以及均衡的电流共享。AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD IGBT具有紧密的参数分布、高输入阻抗和短路耐受性。
特性
- 符合 AEC-Q101
- 饱和电压：VCE(Sat) = 1.6V（IC = 100A时典型值）
- 最高结温：TJ = 175°C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 参数分布紧密
- 高输入阻抗
- 零件经过ILM 测试
- 短路耐受性
- 装有柔性快速恢复二极管
应用
- 混合动力/电动汽车 (HEV/EV) 牵引逆变器
- 辅助DC/AC转换器
- 电机驱动器
- 需要大功率开关的动力传动系应用
应用电路原理图
发布日期: 2020-12-07
| 更新日期: 2025-08-07