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双N通道功率MOSFET - onsemi
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onsemi 双N通道功率MOSFET
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安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基,采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间,最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。
特性
内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间
低侧MOSFET,集成肖特基
最大限度地降低寄生电感
5mm x 6mm的小尺寸,设计紧凑
低R
DS(on)
值,可最大限度降低导通损耗
低Q
G
和电容,可最大限度地降低驱动器损耗
经优化可降低功耗的器件
这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令
应用
直流-直流转换器
系统电压轨
负载点
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发布日期: 2018-07-16 | 更新日期: 2024-05-07