onsemi 双N通道功率MOSFET

安森美半导体双N通道功率MOSFET集成有肖特基,采用DFN8 (SO8FL) 封装。这些N沟道功率MOSFET是内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间,最大限度地降低寄生电感并降低功耗。该款双N通道功率MOSFET无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。典型应用包括直流-直流转换器、系统电压轨以及负载点。

特性

  • 内置功率级的解决方案,可最大限度地减少电路板占用空间
  • 低侧MOSFET,集成肖特基
  • 最大限度地降低寄生电感
  • 5mm x 6mm的小尺寸,设计紧凑
  • 低RDS(on) 值,可最大限度降低导通损耗
  • 低QG和电容,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 经优化可降低功耗的器件
  • 这些器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令

应用

  • 直流-直流转换器
  • 系统电压轨
  • 负载点
发布日期: 2018-07-16 | 更新日期: 2024-05-07