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onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET

安森美 (onsemi) FDC642P-F085小信号MOSFET采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。该MOSFET的典型栅极电荷低至6.9nC，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，功耗为1.2W。FDC642P-F085小信号MOSFET采用SUPERSOT™-6封装，占位面积比标准的SO-8小72%，且外形纤薄，厚度仅为1mm。这款小信号MOSFET不含铅，符合RoHS标准，通过AEC-Q101认证，且支持PPAP功能。典型应用包括负载开关、电池保护和电源管理。

特性

  • 典型RDS(on)=52.5mΩ（VGS=-4.5V、ID=-4A时）
  • 典型RDS(on)=75.3mΩ（VGS=-2.5V、ID=-3.2A时）
  • 开关速度快
  • 典型栅极电荷低至6.9nC
  • 采用高性能沟槽技术，可实现极低RDS(on)
  • SUPERSOT™–6封装：
    • 占位面积小，比标准的SO-8小72%
    • 外形纤薄，厚度仅为1mm
  • 符合RoHS指令，无铅
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能

应用

  • 负载开关
  • 电池保护
  • 电源管理

规范

  • 漏极-源极电压：-20 V
  • 栅极-源极电压：±8 V
  • 功率耗散：1.2 W
  • 工作和储存温度范围：-55 °C至+150 °C

典型特性曲线

性能图表 - onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET

其他资源

应用笔记

发布日期: 2025-11-19 | 更新日期: 2025-11-27