onsemi FGH4L75T65MQDC50场终止型第四代中速IGBT
安森美（onsemi） FGH4L75T65MQDC50场终止型第4代中速IGBT具有低导通和开关损耗，性能极佳。FGH4L75T65MQDC50采用场终止型第4代IGBT技术和第1.5代碳化硅肖特基二极管技术，采用TO-247 4引脚封装。该IGBT晶体管用于在各种应用中实现高效率运行，特别是图腾柱无桥PFC和逆变器。
特性
- 具有正温度系数，便于并联操作
- 高电流能力
- 100%通过ILM测试
- 顺畅和经过优化的开关
- 低饱和电压：VCE (Sat) = 1.45 V（典型值，IC = 75A时）
- 无反向恢复/无正向恢复
- 参数分布紧密
- 符合 RoHS 要求
应用
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 储能系统
- 功率因数校正 (PFC)
- 电动汽车(EV)充电站
规范
- 最大集电极-发射极电压：650V
- 最大栅极-发射极电压：±20V
- 最大瞬态栅极-发射极电压：±30V
- 最大集电极电流范围：75A至110A
- 最大功耗范围：192W至385W
- 最大脉冲电流集电极：300A
- 最大二极管正向电流范围：50A至60A
- 最大脉冲二极管正向电流：200A
- 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
- TO-247-4LD 封装
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发布日期: 2024-01-26
| 更新日期: 2024-06-19