onsemi FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT

安森美半导体FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT(绝缘栅极双极晶体管)采用坚固的高性价比超级场终止型沟槽结构。FGY60T120SQDN在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,具有低导通状态电压和极低的开关损耗。FGY60T120SQDN还设有集成式快速软恢复续流二极管,正向电压低,可实现快速恢复。

特性

  • 极其高效的沟槽,采用场终止型技术
  • 最高结温:TJ = 175°C
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.7V(典型值,IC = 60A)
  • 零件100%经过ILM测试
  • 快速软恢复反向恢复二极管
  • 针对高速开关进行优化
  • TO-247-3封装
  • 符合RoHS指令

应用

  • 太阳能逆变器
  • UPS

封装尺寸

机械图纸 - onsemi FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT
发布日期: 2019-02-26 | 更新日期: 2024-07-31