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FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT - onsemi
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onsemi FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT
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安森美半导体FGY60T120SQDN 1200V 60A超级场终止型IGBT(绝缘栅极双极晶体管)采用坚固的高性价比超级场终止型沟槽结构。FGY60T120SQDN在苛刻的开关应用中提供卓越的性能,具有低导通状态电压和极低的开关损耗。FGY60T120SQDN还设有集成式快速软恢复续流二极管,正向电压低,可实现快速恢复。
特性
极其高效的沟槽,采用场终止型技术
最高结温:T
J
= 175°C
低饱和电压:V
CE(sat)
= 1.7V(典型值,IC = 60A)
零件100%经过I
LM
测试
快速软恢复反向恢复二极管
针对高速开关进行优化
TO-247-3封装
符合RoHS指令
应用
太阳能逆变器
UPS
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发布日期: 2019-02-26 | 更新日期: 2024-07-31