onsemi LFPAK8汽车用功率MOSFET
安森美半导体LFPAK8汽车用功率MOSFET是符合AEC-Q101标准的单N通道功率MOSFET，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。这些器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。这些汽车级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至175°）。
特性
- 占位面积小 (5mm x 6mm)，用于紧凑型设计
- 低RDS(on) 最大限度地降低导通损耗
- QG和电容低，最大限度地降低驱动器损耗
- 行业标准LFPAK8封装
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车
- 不间断电源
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器
封装外形
View Results ( 3 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMJS1D5N04CLTWG |  |
40 V | 200 A | 1.4 mOhms | 70 nC | 110 W |
| NVMJS2D5N06CLTWG | |
60 V | 31 A | 2.4 mOhms | 52 nC | 113 W |
| NVMJD020N08HLTWG | |
80 V | 30 A | 19.5 mOhms | 11.4 nC | 42 W |
发布日期: 2019-08-30
| 更新日期: 2025-10-06