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onsemi NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET

与现存的Si技术相比，安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET提供更高的电压操作、更宽的温度范围和更高的开关频率。这些MOSFET提供较低的有效输出电容和超低的栅极电荷，从而实现更低的切换损耗和更高的切换速度能力。安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET经100% UIS测试，且符合AEC-Q101标准。

特性

  • 低有效输出电容
  • 超低栅极电荷
  • 100%经UIS测试
  • 符合AEC-Q101标准
  • 无卤素且符合 RoHS 标准（豁免条款7a），采用无铅2LI技术（用于二级互连层）

应用

  • 车载/非车载充电器
  • 电动汽车用DC-DC转换器
  • SMPS、太阳能逆变器、UPS、能量存储器、EV充电基础设施

规范

  • 漏源导通电阻（RDS(on)）
    • NVT2012N065M2：18mΩ（典型值，VGS = 18V时）
    • NVT2016N090M2：23mΩ（典型值，VGS = 18V时）
  • 漏源电压（VDSS）
    • NVT2012N065M2：650 V
    • NVT2016N090M2：900 V
  • 漏极连续电流（ID，TC = +25°C时）
    • NVT2012N065M2：180 A
    • NVT2016N090M2：148 A
  • 耗散功率（PD，TC = 25°C时）
    • NVT2012N065M2：375 W
    • NVT2016N090M2：789 W
  • 脉冲漏极电流（IDM，TC = +25°C、tp = 100µs时）
    • NVT2012N065M2：482 A
    • NVT2016N090M2：424 A
  • 输入电容（CISS）
    • NVT2012N065M2：5389pF（VDS = 325V、VGS = 0V、f = 1MHz时）
    • NVT2016N090M2：5340pF（VDS = 450V、VGS = 0V、f = 1MHz时）
  • 输出电容（COSS）
    • NVT2012N065M2：431pF（VDS = 325V、VGS = 0V、f = 1MHz时）
    • NVT2016N090M2：310pF（VDS = 450V、VGS = 0V、f = 1MHz时）
  • 总栅极电荷（QG(TOT)）
    • NVT2012N065M2：256nC（VDS = 400V、ID = 40A、VGS = -5V/+18V时）
    • NVT2016N090M2：250nC（VDS = 425V、ID = 60A、VGS = -5V/+18V时）

其他资源

电路与标记图

原理图 - onsemi NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET
发布日期: 2025-11-12 | 更新日期: 2026-04-21