onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管

安森美半导体MMUN2231L NPN双极数字晶体管设计用于替代单个 器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻器 晶体管 (BRT) 由一个带单片偏置 网络的晶体管组成。该BRT由两个电阻器组成,一个串联基极电阻器(2.2 kΩ)和一个基极发射极电阻器(2.2 kΩ),并将其集成到单个器件中。BRT减少了元件数量和电路板空间,并简化了电路设计。该BRT符合AEC-Q101标准,并具有 PPAP功能。BRT不含铅、卤素/BFR,符合RoHS指令。典型应用包括电池反向保护、 直流-直流转换器输出驱动器和高速开关。

特性

  • 简化电路设计
  • 减小电路板空间
  • 减少元件数量
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无BFR
  • 符合RoHS标准

规范

  • 输入电阻:2.2kΩ
  • DC 集电极电流:100mA
  • DC 输入反向电压:10V
  • DC 输入正向电压:12V
  • DC 集电极-基极(VCBO)和集电极-发射极(VCEO)电压:50V

应用

  • 反向电池保护
  • 直流-直流转换器输出驱动器
  • 高速切换

引脚连接

onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管
发布日期: 2023-12-13 | 更新日期: 2024-01-05