onsemi MSD1819A-R通用和低VCE晶体管
onsemi MSD1819A-R通用和低VCE 晶体管设计用于放大器应用。该NPN晶体管具有210至460的大电流增益（hFE）和低VCE < 0.5V。NPN晶体管采用SC-70/SOT-323封装，设计用于低功耗表面贴装应用。硅外延平面晶体管符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这款低VCE 晶体管不含铅、卤素/BFR。典型应用包括电池反向保护、直流-直流转换器输出驱动器和高速开关。
特性
- 湿度灵敏性等级：1级(MSL 1)
- ESD 保护：
- 人体模型> 4000V
- 机器模型> 400V
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR
- 符合RoHS指令
规范
- 高hFE，210至460
- 低VCE(sat) ：< 0.5V
- 集电极-基极和集电极-发射极电压：60VDC
- 7V发射极-基极电压
- 功率耗散：150mW
- 集电极电流：
- 100mADC - 连续
- 200mADC - 峰值
- 结温：150°C
应用
- 反向电池保护
- 直流－直流转换器输出驱动器
- 高速切换
尺寸图
发布日期: 2023-12-14
| 更新日期: 2024-01-30