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onsemi N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作，采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式下，单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用，以访问这些器件内的数据。 在 DUAL 模式下，使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。 在四路模式式下，四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用，以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作，采用 8 引脚 TSSOP 封装。

特性

  • 128K x 8bit
  • Low power supply range
    • 1.7V to 2.2V (N01S818HA)
    • 2.5V to 5.5V (N01S830HA and N01S830BA)
  • Low typical standby current
    • <1.0µA (N01S818HA)
    • <4.0µA (N01S830HA and N01S830BA)
  • <10.0mA operating current
  • Simple serial interface
    • Single-bit SPI Access
    • DUAL-bit and QUAD-bit SPI-like access
  • Flexible operating modes
    • Word mode
    • Page mode
    • Burst mode (full array)
  • High-frequency 20MHz read and write operation
  • Built-in write protection (CS High)
  • Unlimited write cycles
  • Lead-free and RoHS compliant

应用

  • Patient monitors
  • Smart meters
  • Cardiac monitoring devices
  • Event recorders
  • Alarm systems
  • MP3 interface for automobiles
  • Medical monitoring devices
  • Game controllers
  • IP camera buffers
  • Battery chargers
  • Laser receiver systems
  • GPS offender tracking
  • Programmable logic controllers
  • IP radios
发布日期: 2016-09-14 | 更新日期: 2022-03-11