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onsemi NCP51820高速650V GaN HB驱动器

安森美半导体NCP51820高速650V GaN HB驱动器设计用于满足在离线应用半桥拓扑中驱动GaN电源开关的严格要求。该器件具有较短的匹配传播延迟。先进的电平移位技术为高侧栅极驱动器提供-3.5V至+650V（典型值）共模电压范围，为低侧栅极驱动器提供-3.5V至+3.5V共模电压范围。新一代共模噪声消除技术可为两个驱动器输出级提供高达200V/ns dV/dt抗扰度的稳定运行。

特性

  • 650V integrated high-side and low-side gate drivers
  • UVLO protection for VDD high and low-side drivers
  • Dual TTL compatible schmitt trigger inputs
  • Split output allows independent turn-on/turn-off adjustment
  • 1A source capability
  • 2A sink capability
  • Separated HO and LO driver output stages
  • 1ns rise and fall times optimized for GaN devices
  • Up to 5V SW and PGND negative voltage transient
  • 200V/ns dV/dt rating for all SW and PGND-referenced circuitry
  • <50ns maximum propagation delay
  • <5ns matched propagation delays
  • User-programmable dead-time control
  • Thermal shutdown (TSD)
  • QFN-15 package

应用

  • 谐振转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 有源钳位反激转换器
  • 推拉输出电路无桥PFC
  • OLED电视电源
  • 大功率游戏适配器
  • USD PD手机和笔记本电脑旅行适配器
  • 服务器/云数据中心离线电源
  • 工业逆变器和电机驱动器

应用笔记

框图

框图 - onsemi NCP51820高速650V GaN HB驱动器

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发布日期: 2019-11-21 | 更新日期: 2024-01-31