onsemi NCP5892增强型氮化镓功率开关
onsemi NCP5892增强型GaN功率开关在单一开关结构中集成了高性能、高频率硅（Si）驱动器和650V氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与分立解决方案GaN HEMT和外部驱动器相比，Si驱动器和功率GaN HEMT开关的强大组合可提供更出色的性能。安森美 (onsemi) NCP5892的集成功能可显著降低电路和封装的寄生效应，同时可实现更紧凑的设计。
特性
- 最大漏极电压为650V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：
- NCP58920：150 mΩ
- NCP58921：50 mΩ
- NCP58922：78 mΩ
- 30ns典型驱动器传播延迟
- 8mmx8mm TQFN26封装可最大限度地减少寄生电感
- 驱动器接通过程可通过外部电阻器进行调节，从而在硬开关条件下实现EMI优化
- GDS逻辑输入可切换驱动器强度，便于与QR反激式控制器配合使用
- 2.75mm最大可靠性的爬电距离
- 6.0V驱动器钳形稳压器
- TTL兼容施密特触发器和轨至轨PWM输入
- UVLO保护
- NCP58920和NCP58921用于VDD和VDR电源
- NCP58922用于VDD和VDDL电源
- 转换速度瞬态抗扰度高达200V/ns dV/dt
- +5V LDO输出为数字绝缘体提供电流，电流上限为20mA，用于NCP58921
- VDD额定电压最高可达20V
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 电源转换
- 高功率密度电源
- 半桥、全桥或LLC的所有双端拓扑
- 有源钳位反激式或QR反激式
- 高压同步降压转换器
- 高压同步升压转换器
- 双开关正向转换器
- 双开关反激式转换器
- 同步PFC级
- 图腾柱PFC
简化框图
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发布日期: 2025-02-26
| 更新日期: 2026-04-03