onsemi NCV8406DD双路自保护低侧驱动器

安森美  NCV8406DD双路自保护低侧驱动器是一款双路保护的低侧智能分立器件,具有 温度和电流限制功能。保护特性包括过流、过热、ESD,以及集成的进行过压保护的漏极至栅极的钳位功能。该器件提供了保护,适合用于恶劣的汽车环境。

特性

  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 短路保护
  • 带自动重启的热关断
  • 过压保护
  • 集成的感性负载开关钳位保护
  • ESD 保护
  • 高dV/dt耐受能力
  • 模拟驱动能力(逻辑电平输入)
  • 比其他NCV器件快
  • SO-8 封装
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂 (BFR),符合RoHS指令

应用

  • 开关各种阻性、感性和容性负载
  • 可替代机电继电器和分立电路
  • 汽车
  • 工业

规范

  • 最大漏-源电压:60VDC(内部钳位)
  • 最大栅-源电压:±14VDC
  • 内部限制的连续漏极电流
  • 最大单脉冲感性负载开关能量:110mJ
  • 最大抛负载电压:75V
  • 关态特性
    • 漏-源钳位击穿电压范围:60V至70V
    • 最大零栅极电压漏极电流:100µA(典型值22µA)
    • 最大栅极输入电流:100µA(典型值30µA)
  • 通态特性
    • 栅极阈值电压范围:1.2V至2.0V(典型温度系数4.0mV/°C)
    • 最大静态漏-源导通电阻范围:210mΩ至520mΩ
    • 最大源-漏正向导通电压:1.1V(典型值1.1V)
  • 工作结温范围:-40 °C至+150 °C
  • 开关特性
    • 典型导通时间
      • 延迟:127ns
      • 上升:486 ns
    • 典型关断时间
      • 1600ns延迟
      • 下降:692ns
    • 典型转换速度
      • 导通:79V/s
      • 关断:27V/μs
  • 自保护特性
    • 电流限制范围:3.5A至10.5A
    • 关断温度限制范围:+150°C至+200°C
    • 热迟滞:+10°C(在VGS = 5.0V、+20°C、VGS = 10.0V时)
    • 热故障期间输入电流:5.9mA至12.3mA(典型值)
  • ESD额定值
    • 人体模型 (HBM):6000V(最小值)
    • 机器模型 (MM):500V(最小值)

原理图

原理图 - onsemi NCV8406DD双路自保护低侧驱动器
发布日期: 2024-10-23 | 更新日期: 2024-11-07