NCV8406DD1CR2G

onsemi
863-NCV8406DD1CR2G
NCV8406DD1CR2G

制造商：

说明：
MOSFET AUTOMOTIVE SMARTFET

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
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库存量: 1,323

库存：
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生产周期：
13 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥9.9214 ¥9.92
¥6.5314 ¥65.31
¥5.4127 ¥541.27
¥5.198 ¥2,599.00
¥5.0172 ¥5,017.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥4.8929 ¥12,232.25

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
210 mOhms
- 14 V, 14 V
2 V
- 40 C
+ 150 C
1.2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 692 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFETs
上升时间: 486 ns
系列: NCV8406DD1CR2G
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2-Channel
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NCV8406DD双路自保护低侧驱动器

安森美  NCV8406DD双路自保护低侧驱动器是一款双路保护的低侧智能分立器件，具有 温度和电流限制功能。保护特性包括过流、过热、ESD，以及集成的进行过压保护的漏极至栅极的钳位功能。该器件提供了保护，适合用于恶劣的汽车环境。

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