onsemi NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管
安森美（onsemi）NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。NDSH20120CDN采用TO-247-3LD封装，无反向恢复电流，具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。 该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数，易于并联。
特性
- 最高结温：+175 °C
- 49mJ雪崩级，单脉冲
- 高浪涌电流耐受能力
- 正温度系数
- 易于并联
- 无反向恢复/正向恢复
- TO-247-3LD外壳
- 不含卤素，符合RoHS指令，具有7a豁免、无铅2LI（二级互连）
应用
- 通用型
- 开关模式电源 (SMPS)、太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)
- 电源开关电路
规范
- 最大峰值重复反向电压：1200V
- 最大连续整流正向电流范围
- 每个器件20A至24A
- 每个支脚10A至12A
- 最大正向浪涌电流
- 非重复峰值电流范围：459A至564A
- 非重复电流：59A
- 重复电流：31A
- 最大功耗
- 94 W 下 +25 °C
- 16 W 下 +150 °C
- 典型正向电压范围：1.39V至1.94V
- 反向电流：200 µA（最大值）
- 总电容电荷：46nC（典型值）
- 典型总电容范围：32pF（800V时）至680pF（1V时）
- 最大热阻
- 每个器件的结-外壳热阻：0.65°C/W
- 每个支脚的结-外壳热阻：1.6°C/W
- 结温到环境：40°C/W
- 工作温度范围：-55 °C至+175 °C
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发布日期: 2024-02-09
| 更新日期: 2024-06-19