onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET

onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET专为快速开关应用而设计,在负栅极电压驱动和关断尖峰时性能可靠。onsemi NTBL032N065M3S MOSFET针对18V栅极驱动进行了优化,在15V驱动下也有良好表现。TOLL封装采用开尔文源配置,减少了寄生源电感,从而提高了热性能和开关性能。这些设备还符合湿度灵敏度等级1级(MSL 1)标准。

特性

  • VGS = 18V时,典型RDS(on) = 32m
  • 超低栅极电荷(QG(tot) = 55nC)
  • 高速开关,低电容(Coss = 113pF)
  • 100%经雪崩测试
  • 该器件不含卤化物,符合RoHS 7a条豁免规定、无铅2LI(二级互联)

应用

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 能源储存
  • 电动汽车充电基础设施

应用电路图

应用电路图 - onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET
发布日期: 2025-01-20 | 更新日期: 2025-02-19