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NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET - onsemi
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onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET
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onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET专为快速开关应用而设计,在负栅极电压驱动和关断尖峰时性能可靠。onsemi NTBL032N065M3S MOSFET针对18V栅极驱动进行了优化,在15V驱动下也有良好表现。TOLL封装采用开尔文源配置,减少了寄生源电感,从而提高了热性能和开关性能。这些设备还符合湿度灵敏度等级1级(MSL 1)标准。
特性
V
GS
= 18V时,典型R
DS(on)
= 32m
超低栅极电荷(Q
G(tot)
= 55nC)
高速开关,低电容(C
oss
= 113pF)
100%经雪崩测试
该器件不含卤化物,符合RoHS 7a条豁免规定、无铅2LI(二级互联)
应用
开关模式电源 (SMPS)
太阳能逆变器
不间断电源 (UPS)
能源储存
电动汽车充电基础设施
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发布日期: 2025-01-20 | 更新日期: 2025-02-19