onsemi NTBLS1D5N10MC单N沟道MOSFET

安森美NTBLS1D5N10MC单N沟道MOSFET具有低导通电阻 (R_DS(on))，可确保高效电源管理。安森美NTBLS1D5N10MC具有低栅极电荷 (Q_G) 和电容，可最大限度地缩短充电/放电时间，从而提高性能。该MOSFET显著降低了开关噪声和电磁干扰 (EMI)，有助于打造更清洁的信号环境。