onsemi NTH4L014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于电源应用。 安森美 (onsemi) MOSFET采用平面技术，可配合负栅极电压驱动可靠使用，并关闭栅极上的尖峰。该系列由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。
特性
- 典型值RDS(on)=14 mΩ（VGS=18 V时）
- 低开关损耗（74A、800V时典型值EON 1308J）
- 100% 经雪崩测试
- 这些器件符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源 (UPS)
- 储能系统
- SMPS（开关模式电源）
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发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2024-07-22