onsemi NTH4L020N090SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTH4L020N090SC1碳化硅(SiC) MOSFET与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。
特性
- 典型值RDS(on) =20mΩ（VGS =15V时）
- 典型值RDS(on) =16mΩ（VGS =18V时）
- 超低栅极电荷 (QG (tot) =19nC)
- 低有效输出电容 (Coss =296pF)
- 100%经UIL测试
- 该器件不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），无铅2LI（二级互连）
应用
- UPS
- 直流-直流转换器
- 升压逆变器
应用电路
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发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2024-06-19