onsemi NTH4L碳化硅(SiC)MOSFET
onsemi NTH4L碳化硅(SiC)MOSFET是1200V M3S平面SiC MOSFET系列。这些MOSFET具有超低栅极电荷和低开关损耗的特点。某些MOSFET型号可提供额定电容较低的高速开关。NTH4L系列经过100%雪崩测试,符合RoHS规范。Onsemi NTH4L SiC MOSFET是各种电源应用的理想选择,包括太阳能逆变器、电动汽车(ev)充电站、不间断电源(UPS)、储能系统和开关模式电源(SMPS)。
特性
- TO-247-4L封装,带有开尔文源配置
- N 通道 MOSFET
相关MOSFET
具有低开关损耗,采用TO247-4LD封装,可实现低公共源电感。
相关应用
满足不断增长的电动汽车市场对高效充电基础设施日益增长的需求。
可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
探索工厂自动化的动态发展及其在现代工业中的关键作用。
发布日期: 2023-01-05
| 更新日期: 2025-03-04