onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

安森美  NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用带开尔文源配置的TO-247-4L封装。该MOSFET设计用于快速开关应用，特别采用了平面技术，能可靠地处理栅极上的负栅极电压驱动和关断尖峰。NTH4L023N065M3S MOSFET由18V栅极驱动驱动时提供最佳的性能，由15V栅极驱动驱动时也能工作得很好。安森美NTH4L023N065M3S碳化硅MOSFET非常适合用于电动汽车充电器、AI数据中心和太阳能应用。