onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
安森美NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET可为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。安森美EliteSiC MOSFET采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列由20V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与18V栅极驱动配合使用。
40A时1200V的测试条件下，1700V EliteSiC MOSFET的栅极电荷 (Qg) 与接近300nC的同类竞争器件相比，可实现200nC的栅极电荷(Qg)。低Qg 对于在快速开关、大功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。
安森美 (onsemi) NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET采用TO247-4L封装，第四个引脚上设有开尔文源极连接，可改善导通功耗和栅极噪声。
特性
- 典型值RDS(on) =28mΩ（VGS =20V时）
- 超低栅极电荷 (QG (tot) =200nC)
- 具有低电容的高速开关 (Coss =200pF)
- 100% 经雪崩测试
- TO247-4L封装
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- UPS
- 直流/直流转换器
- 升压斩波电路
视频
包装外形
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发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2024-06-19