onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET
安森美（onsemi）NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET是一款1200V、M3S平面器件，针对快速开关应用进行了优化。平面技术可靠地与负栅极电压驱动一起工作，并消除了栅极上的尖峰。NTHL022N120M3S在使用18V栅极驱动器驱动时具有最佳性能，但也适用于15V栅极驱动器。NTHL022N120M3S采用TO-247-3L封装，非常适合工业、UPS/ESS、太阳能和电动汽车充电器应用。
特性
- 出色的FOM
- 超低栅极电荷
- 高速开关，低电容
- 15V至18V栅极驱动
- N 沟道
- 增强模式
- M3S技术
- 通孔安装，采用TO-247-3L封装
- 100%经雪崩测试
- 无卤，符合RoHS指令
应用
- 工业
- UPS/ESS
- 太阳能
- EV充电器
规范
- 漏极-源极击穿电压：12kV
- 连续漏极电流：68A
- 漏极-源极电阻：30mΩ
- 栅极-源极电压：-10V或+22V
- 栅极-源极阈值电压：4.4V
- 栅极电荷：139nC
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
- 功率耗散：352W
- 下降时间：14ns
- 上升时间：50ns
- 正向跨导：34S
- 典型延迟时间
- 关断：44ns
- 导通：19ns
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发布日期: 2023-05-01
| 更新日期: 2024-06-19