onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NTK3134N单N沟道功率MOSFET具有ESD保护功能，是优化用于高效开关应用优化的强大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N组件采用紧凑的3引脚SOT-723封装，在4.5V电压下实现0.20Ω的低RDS(on) ，可最大限度地减少传导损耗并提升热性能。NTK3134N MOSFET的漏源电压额定值为20V，稳态漏极连续电流能力为890mA（最大值），非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低，有助于降低功耗并提高整体系统效率，使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。
特性
- N沟道开关，具有低RDS(on)
- 比SC89占位面积小44%，厚度薄38%
- 低阈值水平，允许1.5V RDS(on) 额定值
- 可在低逻辑电平栅极驱动下运行
- 3引脚SOT-723，631AA外壳，样式5封装
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS标准
应用
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 负载/电源开关
- 接口切换
- 逻辑电平转换
规范
- 关态特性
- 最小源漏击穿电压：20V
- 典型源漏击穿电压温度系数：18mV/°C
- 零栅极电压漏极电流
- -1.0 µA 下为 +25 °C
- 典型值 -2.0 µA（+125 °C 下）
- 最大栅源漏电流：±0.5µA（±4.5VGS 时）
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：0.45V至1.2V
- 典型负阈值温度系数：2.4mV/°C
- 最大漏源导通电阻范围：0.35Ω至1.2Ω
- 典型正向跨导：1.6S
- Capacitances
- 典型输入电容：79pF
- 典型输出电容：13pF
- 典型反向传输电容：9.0pF
- 开关特性
- 典型接通延迟时间：6.7ns
- 典型上升时间：4.8ns
- 典型关闭延迟时间：17.3ns
- 典型下降时间：7.4ns
- 漏源二极管特性
- 典型正向二极管电压：0.75V
- 反向恢复时间：8.1 ns（典型值）
- 典型充电时间：6.4ns
- 典型放电时间：1.7ns
- 典型反向恢复电荷：3.0nC
- 典型RDS(on) 范围：0.2Ω（4.5V时）至0.56Ω（1.5V时）
- 最大栅源电压：±8V
- 最大稳态漏极连续电流范围：640mA至890mA
- 最大稳态耗散功率：450mW
- 最大脉冲漏极电流：1.8A
- 最大热阻
- 结温至环境温度稳态热阻：280°C/W
- 结温至环境温度热阻：228°C/W
- 结温至引线稳态最小焊盘热阻：400°C/W
- 温度
- 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
- 引脚最大焊接温度：+260°C（持续10s）
原理图
发布日期: 2025-08-29
| 更新日期: 2025-09-08