onsemi NTMFS3D0N08X单N沟道功率MOSFET
安森美半导体 NTMFS3D0N08X单N沟道功率MOSFET是一款80V T10标准栅极MOSFET，非常适用于云电源、5G电信和其他PSU应用以及直流/直流和工业应用。NTMFS3D0N08X性能卓越，系统效率更高，功率密度更高，性能更高。该MOSFET在快速开关应用中具有更高的整体效率、更高的开关损耗、更低的振铃/过冲/噪声以及更高的雪崩耐受性。
特性
- 低QRR 、软恢复体二极管
- 低RDS（on），可最大限度地降低导通损耗
- 低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)
- 隔离式直流-直流转换器中的一次开关
- 电机驱动器
规范
- 漏极-源极电压：80V（最大值）
- 最大栅极-源极电压：±20V
- 最大连续漏极电流范围：109A至154A
- 最大功耗：133W
- 脉冲漏极/源极电流：634A（最大值）
- 最大体二极管源电流：201A
- 单脉冲雪崩能量：140mJ（最大值）
- 最大栅极-源极漏电流：100nA
- 漏极-源极导通电阻范围：5.2mΩ至2.6mΩ（最大值）
- 栅极阈值电压范围：2.4V至3.6V
- 正向跨导：115S（典型值）
- 输出电荷：66nC（典型值）
- 总栅极电荷范围：28nC至45nC（典型值）
- 阈值栅极电荷：10nC（典型值）
- 栅极-源极电荷：15nC（典型值）
- 栅极至漏极电荷：7nC（典型值）
- 栅极平台电压：4.7V（典型值）
- 栅极电阻：0.8Ω（典型值）
- 典型开关时间
- 接通延迟：24ns
- 上升：8ns
- 关断延迟：35ns
- 下跌：6ns
- 典型电容
- 3200 pF输入
- 930 pF输出
- 反向传输：14pF
- 热阻
- 结壳热阻：1.12°C/W
- 结点至环境热阻：39°C/W
- 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
发布日期: 2024-02-19
| 更新日期: 2024-05-01