NTMFS3D0N08XT1G

onsemi
863-NTMFS3D0N08XT1G
NTMFS3D0N08XT1G

制造商：

说明：
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
154 A
2.6 mOhms
20 V
3.6 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
133 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 115 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: NTMFS3D0N08X
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。  由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

NTMFS3D0N08X单N沟道功率MOSFET

安森美半导体 NTMFS3D0N08X单N沟道功率MOSFET是一款80V T10标准栅极MOSFET，非常适用于云电源、5G电信和其他PSU应用以及直流/直流和工业应用。NTMFS3D0N08X性能卓越，系统效率更高，功率密度更高，性能更高。该MOSFET在快速开关应用中具有更高的整体效率、更高的开关损耗、更低的振铃/过冲/噪声以及更高的雪崩耐受性。

供货情况

库存：
0

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在途量:
19,438
预期 2027/9/15
9,000
预期 2027/12/15
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1   最多： 1650
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥24.5662 ¥24.57
¥15.7974 ¥157.97
¥10.9158 ¥1,091.58
¥8.8479 ¥4,423.95
¥8.1925 ¥8,192.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥7.8874 ¥11,831.10

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