onsemi NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET
安森美半导体NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET专为紧凑、高效的设计而打造，采用5mmx6mm扁平引线封装。该功率MOSFET具有低RDS(on) 、低QG 和电容以及逻辑电平驱动能力。NTMFS6H858NL N沟道功率MOSFET的漏极-源极电压为80V、栅极-源极电压为±20V、工作结温和储存温度范围为-55°C至175°。该功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令。典型应用包括开关电源、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）、48V系统、电机控制、负载开关和直流/直流转换器。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 无铅
- 符合 RoHS 要求
- 5mm x 6mm小尺寸，设计紧凑
规范
- 80V漏源电压
- 栅极-源极电压：±20V
- 栅极-源极漏电流：100nA
- 栅极阈值电压范围：1.2V至2V
- 阈值温度系数：-2.9mV/°C
- 输入电容：623pF
- 输出电容：82pF
- 脉冲漏极电流：142A
- 正向跨导：45S
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至175°C
应用
- 开关电源
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
- 48V系统
- 电机控制
- 负载开关
- 直流/直流转换器
典型特性图
尺寸图
发布日期: 2023-12-20
| 更新日期: 2024-01-05