特性
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 占位面积小(5mmx6mm),用于紧凑型设计
- 低RDS(on),将传导损耗降至最低
- 低QG和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗
- 降低开关噪声/EMI
- 湿度灵敏度(MSL)为1级
- 100%经UIL测试
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS指令
应用
- 同步整流
- 交流-直流和直流-直流电源
- 交流-直流适配器 (USB PD) SR
- 负载开关
规范
- 150V最大漏极至源极电压
- ±20V最大栅极到源极电压
- 478A最大脉冲漏极电流
- 6ns典型上升时间
- 5ns典型下降时间
- 27ns典型开启延迟时间
- 32ns关断延迟时间
- 486mJ最大单脉冲漏极至源极雪崩能量
- 工作结温范围:-55 °C至+175 °C
- 功率56(PQFN8)封装
发布日期: 2024-11-06
| 更新日期: 2024-11-18

