NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 43.11 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS7D5N15MC

制造商编号：

NTMFS7D5N15MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

数据表:

NTMFS7D5N15MC 数据表

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	¥48.7143	¥48.71
	¥32.5101	¥325.10
	¥23.3232	¥2,332.32
	¥21.0971	¥10,548.55
	¥20.3513	¥20,351.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥19.6846	¥59,053.80

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	95.6 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	166.7 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	91 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	NTMFS7D5N15MC
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	32 ns
典型接通延迟时间:	27 ns

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数据表

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Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Q_rr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低Q_G 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。

NTMFS7D5N15MC屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产，采用了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时通过同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。Onsemi NTMFS7D5N15MC可降低开关噪声、EMI、电容（以最大限度地减少驱动器损耗）和R_DS（on）（以最大限度地减少传导损耗）。