NTMFS7D5N15MC

onsemi
863-NTMFS7D5N15MC
NTMFS7D5N15MC

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
95.6 A
7.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 91 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: NTMFS7D5N15MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

储能解决方案

onsemi储能系统（ESS）以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力，包括电池（电化学）、压缩空气（机械）和熔盐（热能）。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。

NTMFS7D5N15MC屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产，采用了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时通过同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。Onsemi NTMFS7D5N15MC可降低开关噪声、EMI、电容（以最大限度地减少驱动器损耗）和RDS（on）（以最大限度地减少传导损耗）。

库存量: 2,660

库存：
2,660 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥50.5449 ¥50.54
¥26.6341 ¥266.34
¥24.3176 ¥2,431.76
¥22.1706 ¥11,085.30
¥21.3457 ¥21,345.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥20.9276 ¥62,782.80

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