NTMFS7D5N15MC

onsemi
863-NTMFS7D5N15MC
NTMFS7D5N15MC

制造商:

说明:
MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

ECAD模型:
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库存量: 2,828

库存:
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生产周期:
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥42.3524 ¥42.35
¥29.2783 ¥292.78
¥20.9276 ¥2,092.76
¥20.1027 ¥10,051.35
¥19.5264 ¥19,526.40
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥16.3737 ¥49,121.10

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
95.6 A
7.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 91 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: NTMFS7D5N15MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET,可最大限度地降低导通电阻,并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比,这些MOSFET的Qrr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低RDS(on),可最大限度地降低导通损耗,还具有低QG 和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装,尺寸为5mm x 6mm,设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流-直流和直流-直流电源、交流-直流适配器(USB供电)同步整流器和负载开关。

储能解决方案

onsemi储能系统(ESS)以不同的形式储存来自煤炭、核能、风能和太阳能等各种能源的电力,包括电池(电化学)、压缩空气(机械)和熔盐(热能)。该解决方案的重点是与太阳能逆变器系统相连的蓄电池储能系统。

NTMFS7D5N15MC屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产,采用了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,同时通过同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。Onsemi NTMFS7D5N15MC可降低开关噪声、EMI、电容(以最大限度地减少驱动器损耗)和RDS(on)(以最大限度地减少传导损耗)。