onsemi NTMFS7D5N15MC屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N沟道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET采用先进的PowerTrench工艺生产,采用了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,同时通过同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。Onsemi NTMFS7D5N15MC可降低开关噪声、EMI、电容(以最大限度地减少驱动器损耗)和RDS(on)(以最大限度地减少传导损耗)。

特性

  • 屏蔽栅极MOSFET技术
  • 占位面积小(5mmx6mm),用于紧凑型设计
  • 低RDS(on),将传导损耗降至最低
  • 低QG和电容值,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 降低开关噪声/EMI
  • 湿度灵敏度(MSL)为1级
  • 100%经UIL测试
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS指令

应用

  • 同步整流
  • 交流-直流和直流-直流电源
  • 交流-直流适配器 (USB PD) SR
  • 负载开关

规范

  • 150V最大漏极至源极电压
  • ±20V最大栅极到源极电压
  • 478A最大脉冲漏极电流
  • 6ns典型上升时间
  • 5ns典型下降时间
  • 27ns典型开启延迟时间
  • 32ns关断延迟时间
  • 486mJ最大单脉冲漏极至源极雪崩能量
  • 工作结温范围:-55 °C至+175 °C
  • 功率56(PQFN8)封装
发布日期: 2024-11-06 | 更新日期: 2024-11-18