返回onsemi

onsemi NTMFSC006N双路Cool N沟道功率MOSFET

onsemi NTMFSC006N Dual Cool™ N沟道功率MOSFET采用双面冷却封装的功率Trench® 工艺。这款功率MOSFET具有超低RDS(ON) 、120V漏极至源极电压、±20V栅极至源极电压、1459A脉冲漏极电流和150°C最大工作结温/存储温度。NTMFSC006N双路Cool™ N沟道功率MOSFET 100%经过UIL测试，符合RoHS指令。典型应用包括交流-直流商用电源、一次侧直流-直流FET、同步整流器和直流-直流转换。

特性

  • 双路Cool™ 顶部冷却PQFN封装
  • VGS = 10V时，最大RDS(on) = 6.1mΩ、ID = 。44A
  • 高性能技术可实现极低的RDS(on)
  • 100%经UIL测试
  • 符合 RoHS 要求

规范

  • 120V漏源电压
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：1459A
  • 最高工作结温/存储温度：150°C
  • MSL1稳健封装设计

应用

  • 交流-直流商用电源
  • 一次直流－直流FET
  • 同步整流器
  • 直流-直流转换

典型特性图

性能图表 - onsemi NTMFSC006N双路Cool N沟道功率MOSFET
发布日期: 2023-12-20 | 更新日期: 2024-01-05