onsemi NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET

安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET，具有低_{RDS (on)}，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低_QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该N沟道MOSFET的漏极-源极电压 (_VDS) 为30V，栅极-源极电压 (_VGS) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6 mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。