NTMFSS0D9N03P8

onsemi
863-NTMFSS0D9N03P8
NTMFSS0D9N03P8

制造商：

说明：
MOSFET 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,888

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.9955 ¥23.00
¥14.8934 ¥148.93
¥10.6672 ¥1,066.72
¥8.9383 ¥4,469.15
¥7.684 ¥7,684.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥7.684 ¥23,052.00

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TDFN-9
N-Channel
1 Channel
30 V
294 A
1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
127 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 49.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19.3 ns
系列: NTMFSS0D9N03P8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 125.4 ns
典型接通延迟时间: 20.4 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET

安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET，具有低RDS (on)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该N沟道MOSFET的漏极-源极电压 (VDS) 为30V，栅极-源极电压 (VGS) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6 mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。

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