NTMFSS0D9N03P8

Name: onsemi NTMFSS0D9N03P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSS0D9N03P8
Price: 21.81 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-NTMFSS0D9N03P8

制造商编号：

NTMFSS0D9N03P8

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NTMFSS0D9N03P8 数据表

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	¥15.9669	¥159.67
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	¥15.9669	¥47,900.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TDFN-9
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	294 A
Rds On-漏源导通电阻:	1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	127 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	49.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	19.3 ns
系列:	NTMFSS0D9N03P8
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	125.4 ns
典型接通延迟时间:	20.4 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMFSS0D9N03P8 数据表

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET

安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET，具有低_{RDS (on)}，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低_QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该N沟道MOSFET的漏极-源极电压 (_VDS) 为30V，栅极-源极电压 (_VGS) 为±20 V,漏极电流为294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6 mm封装，具有下拉和中心栅极设计，可提高功率密度、效率和散热性能。该N沟道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常适合用于ORing、电机驱动器、电源负载开关和直流/直流应用。