onsemi NTMTS002N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美NTMTS002N10MC单N沟道功率MOSFET采用先进的Power Trench工艺和屏蔽栅极技术制造而成。安森美NTMTS002N10MC MOSFET具有紧凑的8mmx8mm占位面积，可实现节省空间的设计。该器件的低R_DS(on) 可确保最大限度地降低导通损耗，而低栅极电荷 (Q_G) 和电容值可降低驱动器损耗，确保出色的开关性能。这些MOSFET采用功率88封装，不含铅，符合RoHS指令，符合现代环境标准。