onsemi NTMTS0D7N04C 40 V N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C 40V N沟道功率MOSFET采用安森美 (onsemi) 先进的Power Trench工艺和屏蔽栅极技术制造而成。此工艺可最大限度地降低导通电阻，同时通过领先的软体二极管保持卓越的开关性能。安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C具有420A连续漏极电流 (ID) 和0.67mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻 (RDS(on))。
特性
- 8mm x 8mm占位，设计紧凑
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低QG和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- 功率88封装，工业标准
- 符合RoHS标准
应用
- 电池开关
- 开关电源
- 负载开关
- 交流-直流电源
- 电机控制
电路图
发布日期: 2020-06-30
| 更新日期: 2024-06-11