NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 27.23 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMTS0D7N04CTXG

制造商编号：

NTMTS0D7N04CTXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

数据表:

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整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥10.0909	¥30,272.70

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	420 A
Rds On-漏源导通电阻:	670 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	140 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	205 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	20.4 ns
正向跨导 - 最小值:	200 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	18.1 ns
系列:	NTMTS0D7N04C
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	61 ns
典型接通延迟时间:	28.9 ns
单位重量:	319.280 mg

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

NTMTS0D7N04C 40 V N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C 40V N沟道功率MOSFET采用安森美 (onsemi) 先进的Power Trench工艺和屏蔽栅极技术制造而成。此工艺可最大限度地降低导通电阻，同时通过领先的软体二极管保持卓越的开关性能。安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C具有420A连续漏极电流 (I_D) 和0.67mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻 (R_DS(on))。