NTMTS0D7N04CTXG

onsemi
863-NTMTS0D7N04CTXG
NTMTS0D7N04CTXG

制造商：

说明：
MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解onsemi NTMTS0D7N04CTXG详情

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
40 V
420 A
670 uOhms
20 V
4 V
140 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 20.4 ns
正向跨导 - 最小值: 200 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18.1 ns
系列: NTMTS0D7N04C
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 28.9 ns
单位重量: 319.280 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

NTMTS0D7N04C 40 V N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C 40V N沟道功率MOSFET采用安森美 (onsemi) 先进的Power Trench工艺和屏蔽栅极技术制造而成。此工艺可最大限度地降低导通电阻，同时通过领先的软体二极管保持卓越的开关性能。安森美 (onsemi) NTMTS0D7N04C具有420A连续漏极电流 (ID) 和0.67mΩ（最大值）低漏极-源极导通电阻 (RDS(on))。

库存量: 1,430

库存：
1,430 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥35.4029 ¥35.40
¥18.0348 ¥180.35
¥16.3737 ¥1,637.37
¥13.7295 ¥6,864.75
¥12.9837 ¥12,983.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥12.9837 ¥38,951.10

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。