onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
安森美 (onsemi) NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET采用高性能PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。这款P沟道MOSFET采用流行的表面贴装封装，具有高功率和大电流处理能力。NTTFS007P02P8 MOSFET具有以下特性：漏源电压为-20V，栅源电压为±8V，结到壳热阻为3.8°C/W，栅极电阻为4.5Ω。这款P沟道MOSFET不含铅和卤化物，符合RoHS标准。典型应用包括负载开关、电池管理、电源管理和反极性保护。
特性
- 最大RDS(on)=6.5mΩ（VGS=-4.5V、ID=-14A时）
- 最大RDS(on)=9.8mΩ（VGS=-2.5V、ID=-11A时）
- 最大RDS(on)=20mΩ（VGS=-1.8V、ID=-9A时）
- 采用高性能沟槽技术，可实现超低RDS(on)
- 采用流行的表面贴装封装，具有高功率和大电流处理能力
- 无铅、无卤化物
- 符合 RoHS 要求
应用
- 负载开关
- 电池管理
- 电源管理
- 反向极性保护
规范
- 漏极-源极电压：-20 V
- 栅极-源极电压：±8 V
- 结至壳热阻：3.8°C/W
- 栅极电阻：4.5 Ω
- 工作和储存温度范围：-55 °C至+150 °C
典型性能特性
尺寸
发布日期: 2025-11-19
| 更新日期: 2025-11-27