onsemi NV250x0LV低电压汽车级串行EEPROM
安森美 (onsemi) NV250x0LV低电压车规级一级串行EEPROM是1Kb、2Kb和4Kb SPI串行EEPROM器件，内部分别组织为128×8、256×8和512×8位。安森美 (onsemi) NV250x0LV器件配备16字节页写缓冲区，支持串行外设接口（SPI）协议。NV250x0LV EEPROM提供软件与硬件写保护功能，包括局部和整个阵列保护。 额外的识别页可永久写保护。这些保护功能使该器件能够可靠地存储汽车系统中的关键校准与配置数据。
此系列EEPROM的工作电压范围为1.7V至5.5V，非常适用于现代低功耗汽车应用。其他主要特性包括：高达100万次的单字节擦写寿命、长达200年的数据保留能力，以及-40°C至+125°C的宽工作温度范围。
特性
- 通过汽车AEC-Q100一级认证（-40°C至+125°C）
- 电源电压范围：1.7V至5.5V
- 兼容20/10MHz SPI
- （0,0）和（1,1）SPI模式
- 16字节页写缓冲器
- 自定时写入周期
- 硬件和软件保护
- 额外识别页面，具有永久写保护功能
- 非常适用于汽车和其他需要现场和变更控制的应用
- 块写保护（可保护EEPROM阵列的1/4、1/2或整个阵列）
- 低功耗CMOS技术
- 编程/擦除周期
- 400万（+25°C时）
- 120万（+85°C时）
- 600,000次（+125°C时）
- 数据保留200年
- SOIC-8和TSSOP-8封装
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令
应用
- 在电子控制单元（ECU）中存储配置与校准数据
- 在信息娱乐系统和远程信息处理模块中维护系统参数
- 记录诊断与故障数据，便于维修与保养
- 支持在发动机防盗器和防盗系统中进行安全密钥存储
- 在空调控制和座椅记忆模块中保存用户偏好与设置
规范
- 电源电流
- 读取模式：1.5mA至3mA
- 写入模式：2mA
- 待机电流范围：3µA至5µA
- 输入/输出漏电流范围：±2µA
- 内部上电复位阈值：0.6V至1.5V
- 最大输入/输出电容：8pF
- 最大输入上升/下降时间：2µs
- 最大写入周期时间：4ms
- 读/写操作最大上电时间：0.35 ms
- 最大工作温度范围：-40°C至+150°C
功能符号
发布日期: 2025-08-08
| 更新日期: 2025-08-25