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onsemi NVBG110N65S3F单N沟道SUPERFET® MOSFET

安森美 (onsemi) NVBG110N65S3F单N沟道SUPERFET® MOSFET是一款高压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现低导通电阻和更低栅极电荷性能。该技术有助于最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端的dv/dt速率。NVBG110N65S3F SUPERFET® MOSFET适用于各种电源系统，可实现小型化和更高的效率。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG110N65S3F MOSFET无铅且符合 RoHS 标准。典型应用包括汽车板载充电器和用于BEV的汽车DC/DC转换器。

特性

  • 低RDS(on)
  • 低QG和电容
  • 100%经雪崩测试
  • 符合 AEC-Q101
  • 支持PPAP
  • 无铅
  • 符合RoHS指令

应用

  • 汽车板载充电器
  • 适用于BEV的汽车DC/DC转换器

规范

  • 低导通电阻：93mΩ（典型值）
  • 超低栅极电荷：58nC
  • 低有效输出电容：553pF
  • 3.5 A雪崩电流
  • 工作结温和存放温度范围：-55°C至150°C
onsemi NVBG110N65S3F单N沟道SUPERFET® MOSFET

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发布日期: 2026-02-25 | 更新日期: 2026-03-13