NVBG110N65S3F

Name: onsemi NVBG110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG110N65S3F
Price: 56.36 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVBG110N65S3F

制造商编号：

NVBG110N65S3F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	58 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	240 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	4.6 ns
正向跨导 - 最小值:	17 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	23 ns
系列:	NVBG110N65S3F
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	67 ns
典型接通延迟时间:	31 ns

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数据表

NVBG110N65S3F 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVBG110N65S3F单N沟道SUPERFET® MOSFET

安森美 (onsemi) NVBG110N65S3F单N沟道SUPERFET^®III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结 (SJ) MOSFET，实现低导通电阻和更低栅极电荷性能。该技术有助于最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极端dv/dt率。NVBG110N65S3F MOSFET适用于各种功率系统，可实现小型化和更高效率。该MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG110N65S3F MOSFET无铅且符合 RoHS 标准。典型应用包括车载充电器和电动汽车用车载DC/DC转换器。