onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车48V系统应用。该器件的漏极-源极电压为80V，连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。
特性
- 低QRR 、软恢复体二极管
- 低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗
- 低QG 和低电容，可最大限度降低驱动器损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 直流-直流和交流-直流中的同步整流器 (SR)
- 隔离式直流-直流转换器中的一次开关
- 电机驱动器
- 汽车48V系统
规范
- 80 V漏源电压
- 漏极-源极导通电阻：1.1mΩ（10V时）
- 连续漏极电流：299A
封装类型
瞬态热响应
发布日期: 2025-04-10
| 更新日期: 2025-04-28