NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 41.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVBLS1D2N08XTXG

制造商编号：

NVBLS1D2N08XTXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET T10 80V SG TOLL

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVBLS1D2N08XTXG 数据表 (PDF)

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库存量: 470

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预期 2026/3/2
生产周期：: 19

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥46.895	¥46.90
	¥33.1655	¥331.66
	¥28.702	¥2,870.20
	¥27.8771	¥13,938.55
	¥27.0522	¥27,052.20
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥26.4646	¥52,929.20
10,000	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	H-PSOF-8L
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	299 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	121 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	197 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	294 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	23 ns
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	40 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVBLS1D2N08XTXG 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有_低QRR 、_RDS(on) 和_QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车48V系统应用。该器件的漏极-源极电压为80V，连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。