NVBLS1D2N08XTXG

onsemi
863-NVBLS1D2N08XTXG
NVBLS1D2N08XTXG

制造商:

说明:
MOSFET T10 80V SG TOLL

寿命周期:
新产品:
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库存量: 3,034

库存:
3,034
可立即发货
在途量:
2,000
预期 2026/7/31
生产周期:
30
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1   最多: 430
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥48.3075 ¥48.31
¥34.1599 ¥341.60
¥29.8659 ¥2,986.59
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥29.8659 ¥59,731.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8L
N-Channel
1 Channel
80 V
299 A
1.1 mOhms
20 V
3.6 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 294 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

NVBLS1D2N08X MOSFET

安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有低QRRRDS(on)QG,可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合AEC-Q101标准,适用于汽车48V系统应用。该器件的漏极-源极电压为80V,连续漏极电流为299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封装。