onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVD5867NL单N通道功率MOSFET的漏源电压为60V，最大漏源导通电阻为39mΩ。该N沟道MOSFET具有低R_DS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求，通过AEC-Q101认证，并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。