onsemi NVH4L022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET
ON Semiconductor NVH4L022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET 性能优异，可靠性高于硅型号。ON Semiconductor NVH4L022N120M3S具有低导通电阻，并且其紧凑的芯片尺寸确保了电容和栅极电荷低。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 典型值RDS(on) = 22m @ VGS = 18V
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 151nC)
- 低电容 (Coss = 244pF) 高速开关
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 该器件不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免），无铅2LI（二级互连）
应用
- 汽车板载充电器
- 用于电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
- 汽车牵引逆变器
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发布日期: 2023-01-05
| 更新日期: 2025-03-04