onsemi NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NVH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET 与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NVH4L060N065SC1具有低导通电阻，紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。
特性
- 符合AEC-Q101汽车级标准
- 额定电压：650 V
- VGS =18V、ID =75A时，最大RDS(on) =18mΩ
- 高速开关，低电容
- 100%经UIL测试
- 器件符合RoHS指令
应用
- 汽车板载充电器
- 汽车直流/直流转换器（用于EV/HEV）
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发布日期: 2023-01-05
| 更新日期: 2024-06-18