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onsemi NVHL025N65S3 N通道SUPERFET® III

安森美半导体NVHL025N65S3 N通道SUPERFET® III是一款易于驱动的高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术。该SUPERFET具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低导通损耗，具有良好的开关性能，并可承受极高的dv/dt速率。该SUPERFET可控制EMI问题，并便于实施设计。典型应用包括汽车PHEV-BEV直流/直流转换器和用于PHEV-BEV的车载充电器。

特性

  • 良好的开关性能
  • 承受极高的dv/dt速率
  • 控制EMI问题
  • 便于实施设计
  • 符合AEC-Q101标准
  • 低有效输出电容
  • 100%经雪崩测试
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 汽车插电式混合动力电动汽车 (PHEV)-电池电动车 (BEV) 直流/直流转换器
  • 用于PHEV-BEV的车载充电器

规范

  • 650V漏源击穿电压 (BVDSS)（最小值）
  • 25mΩ最大静态漏级-源级导通电阻 (RDS(on))（10V时）
  • 75A最大漏极电流 (ID)
  • 236nC（典型值）低栅极电荷 (QG)
  • 工作温度范围：-55°C至150°C
  • TO-247-3LD封装

NVHL025N65S3性能图

性能图表 - onsemi NVHL025N65S3 N通道SUPERFET® III

其他资源

发布日期: 2019-03-03 | 更新日期: 2024-01-19