NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 143.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVHL025N65S3

制造商编号：

NVHL025N65S3

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	75 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	236 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	595 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SuperFET
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	107 ns
正向跨导 - 最小值:	78.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	109 ns
系列:	SPM3
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	120 ns
典型接通延迟时间:	43.3 ns
单位重量:	6 g

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数据表

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PCN

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N通道SUPERFET® III

安森美半导体NVHL025N65S3 N通道SUPERFET^® III是一款易于驱动的高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术。该SUPERFET具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。NVHL025N65S3 SUPERFET可最大限度地降低导通损耗，具有良好的开关性能，并可承受极高的dv/dt速率。该SUPERFET可控制EMI问题，并便于实施设计。典型应用包括汽车PHEV-BEV直流/直流转换器和用于PHEV-BEV的车载充电器。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。