onsemi NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
安森美（onsemi）NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET采用EliteSiC技术，具有出色的开关性能。与传统的硅MOSFET相比，安森美（onsemi）NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，因此具有低电容和栅极电荷，有助于实现高效率、快速工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰 (EMI) 以及更紧凑的系统尺寸。这些MOSFET采用先进的技术，适用于增强型电力电子应用。
特性
- 符合汽车类AEC-Q101标准
- 100%经UIL测试
- 额定电压：650 V
- 符合 RoHS 要求
- 最大RDS(on) = 50mΩ（Vgs =18V、Id =66A时）
应用
- 汽车车载充电器
- 汽车直流-直流转换器（用于EV/HEV）
应用电路图
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onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET
与硅器件相比，该技术可提供出色的开关性能和更高的可靠性。
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发布日期: 2024-02-14
| 更新日期: 2024-06-18