onsemi NVMFD027N10MCL双N沟道功率MOSFET
安森美半导体NVMFD027N10MCL双N沟道功率MOSFET是一款100V、28A、26mΩ汽车用功率MOSFET，设计用于紧凑高效的设计。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，采用5mm x 6mm扁平引线封装，具有可湿性侧翼选项，可用于增强型光学检测。安森美 (onsemi) NVMFD027N10MCL MOSFET具有高热性能和低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。
特性
- 占位面积小 (5mm x 6mm)，设计紧凑
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令
应用
- 48V系统
- 开关电源
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）
规范
- 28A最大连续漏极电流
- RDS(ON) ：26mΩ（10V时）和35mΩ（4.5V时）（最大值）
- 漏极－源极电压：100V
- 栅极－源极电压：±20V
- 115μA脉冲漏极电流
- 工作结温和储存温度范围：-55°C至175°C
典型应用
发布日期: 2023-12-28
| 更新日期: 2024-05-29